La memoria RAM DDR5 llegará en 2020, y ya están desarrollando DDR6

La memoria RAM DDR4 que usamos en nuestros ordenadores lleva ya casi cinco años entre nosotros. Esta memoria permitió mejorar las frecuencias y la eficiencia con respecto a DDR3, y los primeros módulos DDR5 ya están empezando a ser preparados para llegar el año que viene, según ha afirmado uno de los mayores fabricantes del mundo, además de haber hablado ya incluso de DDR6.

La memoria RAM DDR6 tardará al menos 5 años en llegar al mercado

SK Hynix ya creó el pasado mes de noviembre los primeros módulos de memoria RAM DDR5 en noviembre del año pasado, con una frecuencia de 5.200 MHz a 1,1 voltios y consumiendo un 30% menos de energía que la memoria DDR4. Además, también se duplicará la cantidad de memoria que aceptarán las placas compatibles, pudiendo llegar incluso hasta los 256 GB.

Sin embargo, la compañía ya tiene la vista puesta en la memoria DDR6. Este estándar de memoria permitirá realizar transmisiones de hasta 12 Gbps por chip, frente a los 5,2 Gbps que esperan alcanzar con DDR5 (6,2 Gbps en 2022), y que a su vez es un 60% más rápida que DDR4. La compañía estima que la llegada de los primeros módulos que integren estos chips no se producirá por lo menos hasta 2025.

Actualmente se encuentran discutiendo diversos aspectos de lo que vendrá después de la memoria DDR5. Lo más importante es que quieren mantener los aumentos en las velocidades de transmisión, además de combinar la tecnología de la memoria DRAM con la de los SoC. Sobre esto último no quisieron precisar más información.

Los primeros módulos DDR5 estarán a la venta en 2020

Sobre DDR5, afirmaron que los primeros módulos comerciales estarán disponibles en 2020, aunque es probable que las primeras placas base compatibles con esta memoria se demoren un poco más y lleguen en 2021. En 2021 se espera que la memoria DDR5 suponga el 25% de la demanda de RAM, y el 44% para 2022.

Para este estándar se centraron en desarrollar una serie de tecnologías que permitiesen aumentar la velocidad a la vez que se mantenía el voltaje. También buscaron reducir el ruido que se produce a la hora de hacer transmisiones de alta velocidad. Para ello, han creado una tecnología de sincronización multifásica que permite realizar transmisiones de alta velocidad con un voltaje bajo al poner varias fases en el circuito IP. Así, el consumo energético es bajo en cada fase, pero la velocidad es alta al combinarlos.

La memoria RAM DDR5 también jugará un papel importantísimo en la industria automovilística, según afirman desde SK Hynix, y no sólo por su velocidad, sino por su habilidad para corregir errores. Esta memoria cuenta con un sistema de corrección de código, abreviado como ECC, que detecta automáticamente los errores y los subsana en las transmisiones de datos. Teniendo en cuenta la gran cantidad de información que procesarán y transmitirán los coches autónomos, es vital para evitar que se produzcan accidentes debido a errores en la información.